增产缓慢 内存持续短缺
今年，内存增产的赛道上，只有一位选手真正冲出了起跑线。SK海力士旗下的清州工厂，在今年2月已经率先实现了HBM（高带宽内存）的量产。相比之下，其他厂商要么还在观望市场风向，要么正忙于厂房浇筑和设备调试，他们的新产能，恐怕要等到2027年底甚至2028年才能落地。
全球DRAM市场的格局相当集中，三星、SK海力士和美光这三巨头，拿下了近九成的份额。更重要的是，目前有实力生产HBM芯片的，也只有它们三家。
问题恰恰出在这里。为了抢占AI浪潮下的HBM高地，这些巨头不约而同地将资源向HBM倾斜，这直接挤占了传统DRAM的产能。于是，从去年第四季度开始，内存短缺的警报就一路升级。进入今年，内存价格更是飙涨，较上一季度涨幅高达90%。这带来了一系列连锁反应：预计到年中，内存采购成本在手机制造成本中的占比，将从20%跃升至40%。成本压力之下，智能手机市场规模可能因此萎缩13%。不仅如此，这场短缺危机正蔓延至汽车零部件等更多行业。
调研机构的估算描绘了一幅紧迫的图景：要真正缓解供应短缺，半导体行业到2027年需要实现12%的增产。然而，根据现有规划，新增产能只能达到7.5%。具体来看各家计划：
SK海力士是行动最积极的一个，正在加紧建设龙仁工厂群。其首座洁净室预计在2027年2月启用，比原计划还提前了三个月，这份积极性值得肯定。
（这是效果图，实际情况如下图所示）
美光位于爱达荷和新加坡的新工厂，最快也要等到明年下半年才能投产，对于眼下的燃眉之急，可谓是远水解不了近渴。
三星电子平泽第四工厂有望在今年内建成，但量产时间点指向2027年。而且，这座工厂并非专攻内存，它同时生产逻辑芯片，这势必会分散DRAM的产能。至于主要规划生产HBM的平泽第五工厂，目前还在土建阶段，最快也要到2028年才能量产。
由于新增产能要到明年下半年才会陆续兑现，DRAM的产能提升速度，预计只能满足约六成的市场需求。这意味着，供应危机很可能将持续贯穿2027年。海力士甚至给出了更严峻的判断，认为短缺状况会一直延续到2030年。看来，由供需失衡引发的市场波动，还要活跃很长一段时间。
厂商们为何如此谨慎？历史教训是重要原因。疫情后的IT泡沫破裂，曾让多家半导体巨头陷入亏损。其中，铠侠录得了史上最惨重的亏损，美光与海力士也未能幸免。这场“寒冬”让整个行业至今心有余悸。作为当时受创最深的厂商之一，铠侠对于是否投资建设第三座生产设施显得十分犹豫。其新任总裁大田裕雄的表态颇具代表性：“我们将根据市场增长状况，进行理智的投资。” 一句话，道出了全行业在激进扩张与风险控制之间的审慎权衡。
