4月3日消息，三星电子近期通过公开招标方式，计划出售约123台半导体制造设备，其中西安工厂86台、韩国工厂37台。

这批设备主要为90nm至65nm成熟制程的晶圆制造工具，涵盖沉积、刻蚀、清洗、检测等环节，还包括部分8英寸设备。

值得注意的是，三星此次出售的资产中，部分设备仍在运行但计划于2026年前拆除，三星已启动预售以提前锁定买家。

设备出售的核心背景是西安工厂NAND闪存工艺的全面升级——该工厂承担了三星约40%的NAND总产量，也是其唯一的海外存储芯片生产基地。

目前，三星已停止在西安工厂生产128层V6 NAND，取而代之的是236层V8 NAND并已实现量产。

据多家媒体报道，西安工厂的制程升级始于2024年，旨在改造原有V6生产线，以满足AI时代对高性能存储设备的需求。

在V8量产后，三星西安工厂的下一步瞄准了286层堆叠的V9 NAND，相关生产线位于X2工厂，计划在2026年内完成过渡并实现量产。

更长远的目标是超过400层的V10 NAND，三星已为此规划了清晰的路线图，预计在2026年推出。

在资金投入方面，据G-enews援引监管文件和行业数据，三星2025年在西安NAND闪存生产线投资4654亿韩元（约合3.2亿美元），较上年增长67.5%。

需要提及的是，三星加速转型的背后，是AI基础设施对高性能存储的饥渴需求——企业级SSD需要更高密度、更低功耗的NAND，200层以上的技术壁垒构成了三星与后来者之间的护城河。

与此同时，长江存储等中国本土存储厂商正在快速发展。据公开资料显示，长江存储已稳定大规模生产270层3D NAND，并计划在2026年底前获得15%的全球销量份额。