三星西安厂236层3D NAND已量产，年内将投产286层闪存
3月30日消息，据韩媒ETNEWS报道，位于西安的三星电子NAND晶圆厂已正式实现V8（236层堆叠）3D NAND闪存的量产。
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本次制程升级工作自2024年启动，在原有V6（128层）NAND生产线基础上完成技术改造，旨在提升产品性能与生产效率，满足AI时代对高性能存储设备的需求。
三星电子中国西安工厂
在量产V8 NAND后，三星西安晶圆厂的下一步已瞄准286层堆叠的V9 NAND，相关生产线将位于X2工厂，计划在2026年内完成转换并开始大规模生产。
据悉，3D NAND 闪存的堆叠层数是衡量厂商技术实力的核心指标，更高的堆叠层数可实现更大的单芯片存储容量、更优的读写性能与更低的单位存储成本，是全球存储厂商技术竞赛的核心赛道。
值得一提的是，中国最大的NAND闪存制造商长江存储（YMTC）早已实现294层闪存的量产，其自研的Xtacking4.0技术更是将堆叠层数推向300层以上。
这使得其他厂商越来越难以抵御来自中国本土的200层以下闪存产品的竞争。
在技术竞赛的同时，韩国巨头正采取"价格防御"策略，三星计划将NAND晶圆年产量从2025年的490万片降至2026年的468万片，SK海力士也将从190万片降至170万片，减幅均约10%。
市场研究机构Omdia指出，韩国厂商此举意在优先保障高利润的DRAM和HBM产能，同时应对长江存储在通用型NAND市场的激烈竞争。
从市场份额看，三星、SK海力士合计占据全球NAND市场超60%份额，而长江存储已跃居全球第三大3D NAND闪存厂商。
技术层面，长江存储在存储密度上已达到世界领先水平，良品率稳定突破90%，大幅提升了成本竞争力。
产能方面，长江存储武汉三期工厂预计2026年下半年投产，月产能目标冲刺30万片晶圆，三年内产能接近翻倍。
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