美光为英伟达量产HBM4内存，速度提升至HBM3E的2.3倍
3月17日凌晨，英伟达在GTC技术大会上发布重要消息，美光科技随即宣布旗下多款存储产品已实现大规模量产，这些产品均围绕英伟达Vera Rubin平台进行设计。
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美光透露，其HBM4产品线已于今年第一季度开始量产并出货，首批推出的产品是专为Vera Rubin平台定制的36GB容量12层堆叠版本。这款产品的引脚速率突破11Gb/s，内存带宽超过2.8TB/s，较上一代HBM3E提升约2.3倍，同时能效提升超过20%。
此外，美光科技表示已向客户提供16层堆叠的48GB HBM4早期样品。与12层版本相比，该型号单颗容量提升33%，能够进一步提升单个HBM位置可用内存容量。
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