三星GTC 2026首发HBM4E内存，全面展示AI布局
据IT之家3月17日消息，三星电子在今日开幕的NVIDIA GTC 2026大会上，全面展示了其在人工智能计算领域的技术布局。
作为全球唯一一家能够提供覆盖内存、逻辑、晶圆代工及先进封装在内的完整AI解决方案的半导体厂商，三星此次展出了从高性能内存到面向个人设备的低功耗解决方案的全系产品。
在个人设备领域，三星展示了针对本地AI工作负载优化的内存解决方案，包括为NVIDIA DGX Spark配备的三星PM9E3和PM9E1 NAND产品。
三星还展出了面向高端智能手机、平板电脑和可穿戴设备的LPDDR5X和LPDDR6 DRAM解决方案。其中，LPDDR5X的每引脚传输速度最高可达25 Gbps，同时功耗降低15%。在此基础之上，LPDDR6将带宽进一步提升至每引脚30-35 Gbps，并引入了自适应电压调节和动态刷新控制等高级电源管理功能，为下一代端侧AI工作负载提供性能支持。
本次展会的核心亮点是三星第六代HBM4内存。该产品现已进入量产阶段，专为NVIDIA Vera Rubin平台设计。据介绍，三星HBM4能够提供11.7 Gbps的稳定处理速度，超过业界标准的8 Gbps，并可进一步提升至13 Gbps。通过采用最先进的第六代10纳米级DRAM工艺，三星实现了稳定的良率和领先的性能表现。
更值得关注的是，三星今日还首次展示了其下一代HBM4E内存。该产品每引脚传输速度可达16 Gbps，带宽高达4.0 TB/s。此外，三星还展出了其混合铜键合（HCB）技术，这项新技术将使下一代HBM能够实现16层或更多堆叠，同时与热压键合相比降低20%以上的热阻。
三星还在展台上特设了“NVIDIA Gallery”，集中展示双方深度合作的成果，陈列着为英伟达AI产品量身打造的一系列前沿技术产品，包括HBM4、SOCAMM2以及PM1763 SSD。
三星SOCAMM2基于低功耗DRAM设计，是一款针对下一代AI基础设施优化的服务器内存模块，兼具高带宽和灵活的系统集成能力。三星已实现该产品的量产，成为业内首家达成这一里程碑的企业。
面向下一代AI存储解决方案的三星PM1763 SSD采用最新的PCIe 6.0接口，提供高速数据传输和大容量存储。该产品将在基于NVIDIA SCADA编程模型的服务器上进行现场演示。此外，作为NVIDIA Vera Rubin平台加速存储基础设施参考架构的一部分，三星PM1753 SSD也将展示其在推理工作负载中提升能效和系统性能的能力。
IT之家注意到，三星还在GTC 2026上展示了其与NVIDIA在AI工厂开发方面的合作成果。双方计划引入NVIDIA加速计算技术，以扩展三星的AI工厂规模，并加速基于NVIDIA Omniverse库的制造数字孪生落地，覆盖内存、逻辑、晶圆代工和先进封装各环节。
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