芯东西（公众号：aichip001）
编译｜刘涟
编辑｜陈骁达

据芯东西3月12日消息，3月10日，IBM与美国泛林集团宣布展开合作，共同推进sub-1nm芯片制程的开发。双方的合作将涵盖新型材料的研发、先进工艺技术以及高数值孔径极紫外光刻（High-NA EUV）技术的整合，旨在为下一代逻辑芯片研发提供关键技术支撑，并加速这些前沿技术在行业内的普及和应用。

泛林集团是全球领先的半导体晶圆制造设备与服务供应商，拥有覆盖前端至后端的完整工艺设备组合。例如其Kiyo与Akara蚀刻平台、Striker和ALTUS Halo沉积系统，Aether干膜光刻胶技术，以及为纳米片、纳米堆叠器件与背面供电架构构建与验证完整工艺流程的先进封装技术。目前，众多先进芯片均采用了泛林的技术进行制造。

▲ALTUS Halo设备图示（图源：泛林集团官网）

IBM与泛林集团在逻辑芯片制造领域已合作十余年，共同推动了早期7nm制程、纳米片技术以及极紫外光刻工艺的实现。此次新的合作协议长达五年，协议内容表明，双方将通过合作使逻辑芯片制程进一步拓展至sub-1nm节点。

泛林集团首席技术官兼可持续发展官瓦希德·瓦赫迪表示：“随着行业进入三维制程微缩的新时代，技术进步取决于我们如何将材料、工艺与光刻技术重新整合为一套高密度的完整系统。”

双方团队将整合泛林集团的技术优势与IBM在纽约州奥尔巴尼纳米技术综合体的研发能力，旨在将高数值孔径极紫外光刻图形高效、可靠地转移到真实器件层面，从而实现制程的持续微缩与性能提升，并为未来逻辑芯片提供可行的量产路径。

对于1nm制程的落地，作为产业链巨头的台积电与三星，也已在逐步展开布局。

2024年12月，台积电于IEEE发表了关于1nm制程的产品规划，台积电方面预计，将在2027年实现1.4nm节点，并计划于2030年实现1nm节点。

2025年4月，三星电子宣布启动名为“梦想制程”的1nm芯片研发，预计在2029年后实现量产，旨在通过颠覆性技术突破追赶台积电。三星内部已将部分参与2nm研发的工程师调任至1nm项目组，显示出对该项目的战略重视。

结语：技术与设备相协同，1nm制程或将加速进入现实

由此可见，对于sub-1nm制程的挑战已不再是简单的尺寸缩小，需要在材料与技术层面上实现系统性突破。IBM与泛林集团此次达成的长期合作，或将有助于攻克sub-1nm制程难题，并为构建长期技术竞争力积累优势。

目前，AI算力需求激增，企业正竞相冲击更小的纳米制程。随着新型材料、先进蚀刻与薄膜沉积技术以及高数值孔径极紫外光刻技术的逐步落地，行业对1nm领域的技术探索将进一步深入。