根据近日发布的券商研究报告，脑机接口作为融合多学科知识的前沿技术，其商业化前景广阔，但要拓展至消费级市场，需率先在脑神经疾病诊疗领域完成应用验证。由于人脑植入物管控严格，安全性是决定其能否成功商业化并吸引投资的核心前提。从技术路线来看，非侵入式脑机接口受限于EEG信号的空间分辨精度，在脑神经领域的实际应用面临瓶颈；而侵入式技术虽能采集更高质量信号，但长期植入的安全隐患尚未完全解决。相比之下，半侵入式方案在保障基本性能的同时，展现出显著的安全性优势，有望率先在脑神经疾病治疗领域实现商业化突破。通过积累关键临床数据，并结合AI解码技术持续迭代，将为未来向消费领域拓展奠定重要基础。

当前，我国在脑机接口技术研究方面处于全球相对领先地位，具备培育全球领军企业的潜力。建议重点关注两大方向：一是临床进展较快、适应症明确且获得国家政策支持的半侵入式脑机接口方案；二是围绕半侵入式脑机接口全产业链，挖掘在医疗领域有新突破、且具备向消费级领域延伸潜力的核心技术标的，把握商业化落地最快的投资机会。

报告主要观点梳理如下：

半侵入式方案创口小、植入浅

侵入式植入依赖手术机器人，其技术迭代后的安全性仍有待临床验证。此外，侵入式方案需要切开更大面积的颅骨和硬脑膜，加剧脑组织移位和颅骨缺损的综合风险；硬脑膜未闭合可能引发积液和感染，电极植入脑组织亦可能损伤血管。相比之下，半侵入式创口更小，电极位置较浅，植入时不损伤颅内血管，且随着解码算法进步，有望实现更浅的植入深度。因此，半侵入式在术中表现出更优的安全性，微创潜力更大。

长期使用更安全，通道扩展上限高

侵入式电极插入脑组织后，周围易形成胶质疤痕，导致神经元凋亡和炎症反应，生物相容性随时间恶化。电极脱出概率较高，易造成脑组织及周边血管损伤；脑组织对热极其敏感，而侵入式脑机接口因集成度高，主要热源芯片与脑组织距离近，功耗和通道数易触及上限。半侵入式电极位于硬脑膜外，不形成胶质疤痕，长期生物相容性更好，且薄膜电极无轴向脱出风险。芯片与电极的分体式设计，能更好地解决热管理难题。因此，半侵入式在长期使用中电极稳定性更优，发热控制更好，且随通道数增长，其扩展优势将进一步扩大。

取出更安全，更贴近消费级需求

侵入式电极取出时会撕裂血管网，导致组织实质损毁和出血，造成物理性坑洞及神经元缺失，同时出血位置在组织内部，止血困难。半侵入式薄膜电极揭离时不损伤实质血管，极大降低出血概率，即便出血也仅限于表面易于处理，同时脑组织结构完整，具备完全可逆性。随着脑机接口即将进入高通道时代，消费级应用成为可能，面对更快的产品换代需求，半侵入式方案更贴合易取出、易更换的趋势，更具向消费级市场拓展的潜力。

综合评估

半侵入式方案能基本解决植入、长期使用和取出的安全性难题，且随着通道数增加，其扩展性优势更为明显。安全性是产品获批上市并抢占脑神经疾病赛道的重要条件，因此认为半侵入式安全性更优，发展潜力更大。

需关注的风险提示

产品获批进度不及预期；技术迭代与市场竞争风险；供应链核心材料受限风险。