IT之家3月5日消息，根据DigiTimes发布的最新市场数据，2026年2月存储现货价格整体呈现上涨态势，其中NAND闪存晶圆涨幅最为显著。
报告指出，随着存储需求与供应之间的缺口不断扩大，现货价格正快速攀升，同时采购资金压力也在持续增加。如果这一趋势延续，行业甚至可能面临周期性崩溃的风险。
DDR5 16G（2Gx8）芯片平均价格已升至39美元，环比上涨7.4%；而1Tb TLC闪存晶圆价格大幅上涨25%，达到25美元，成为当月涨幅最高的产品。
值得注意的是，春节假期曾导致2月中旬交易活动有所降温，但假期结束后现货市场迅速恢复，价格继续上行。
相比之下，DDR4市场表现则出现分化。
16Gb（2Gx8）产品价格几乎持平，仅微涨0.26%至78.10美元；而8Gb（1Gx8）则上涨6.8%至33美元。
相较于1月份DRAM产品普遍20%至30%的月度涨幅，DDR4的上涨势头明显放缓。DDR3 4Gb（512Mx8）芯片价格上涨7.5%，达到5.70美元。
DigiTimes分析认为，这种变化更多是季节性因素所致，而非市场压力得到缓解。
与此同时，存储合约价格的预期也在明显上调。TrendForce在2月初将2026年第一季度传统DRAM合约价格预测从此前预估的55%至60%环比涨幅，提升至90%至95%。PC DRAM价格预计将实现翻倍以上增长，创下新的季度纪录。NAND闪存合约价格预计环比上涨55%至60%，同样高于此前33%至38%的预测。
推动价格上涨的核心动力来自AI基础设施建设。服务器DRAM和高带宽存储器的需求持续吸收产能，导致传统DRAM和消费级NAND市场供应趋紧。自2025年末以来，北美云服务提供商已经提前锁定大量订单和产能，使其他买家在供应优先级中不断后移。即便是已获得供应商配额的一线PC厂商，库存水平也在持续下降。
在NAND市场，2月现货价格上涨只是长期趋势的一部分。DigiTimes数据显示，自2025年10月以来，1Tb QLC/TLC闪存晶圆价格已上涨约三倍，而512Gb TLC价格同期上涨接近五倍。究其原因，是存储厂商将更多产能转向利润率更高的企业级SSD，减少了模组厂商能够获得的晶圆供应，从而持续推高整个市场价格。
