宏碁N8000 PCIe 5.0固态硬盘首测：6nm主控功耗低至11GB/s
2月13日，宏碁正式发布了基于6纳米主控的PCIe 5.0固态硬盘——宏碁N8000。这款产品采用PCIe 5.0 x4高速通道与NVMe 2.0接口协议，为中高端游戏本、轻薄本及迷你主机提供了新一代存储扩容方案。
在保持PCIe 5.0高带宽特性的同时，N8000将产品优化的核心重心放在了功耗控制与温控表现上。
从整体外观来看，宏碁N8000 PCIe 5.0固态硬盘采用了标准的M.2 2280物理规格。其电路板选用了纯黑色的PCB基板。
主控芯片、两颗NAND闪存颗粒以及相关的供电控制元器件均集中在PCB的正面，这种单面布局有效降低了硬盘的整体厚度，使其能够更好地兼容笔记本电脑内部严苛的物理安装空间。同时，宏碁N8000采用的是无外置物理缓存架构方案，所以也没有独立的DRAM内存芯片。
细节上，靠近M.2金手指接口一侧的核心元件为固态硬盘主控芯片。芯片表面的微距实拍丝印显示型号为SM2504XT，这是来自慧荣科技的新一代PCIe 5.0主控。
该主控采用了台积电6纳米先进制程工艺制造。相较于早期工艺，6纳米制程在漏电流控制和能效比上具备显著的物理优势。得益于这一先进制程主控的搭载，N8000在同规格Gen5产品中实现了较低的功耗表现，其满载功耗被控制在5.2W以下，最新数据显示相比常规PCIe 5.0 SSD功耗降低约40%。
这为缓解移动端设备满载运行时的散热与续航压力提供了硬件基础。
占据PCB核心区域的是两颗用于存储数据的NAND闪存颗粒。
颗粒是由国内存储封测厂商佰维进行封装的3D TLC闪存。配合主控，该闪存可提供3600MT/s的I/O接口速度。在理论性能方面，N8000的最高顺序读取速度可达11000MB/s，顺序写入速度达到10000MB/s，随机读写性能双双达到1700K IOPS。宏碁N8000还引入了HMB机制，并配置了智能SLC cache动态缓存技术。
N8000搭配了超薄石墨散热贴片用于核心热量导出，避开了占用空间的厚重金属马甲。产品目前提供1TB与2TB两种容量版本，其中2TB版本的标称耐久度达到1500TBW。
目前宏碁存储Acer N8000固态硬盘已经上市，1TB款1399元，2TB款2299元。
实拍图赏：
配件包括固态硬盘、说明书、螺丝、螺丝刀、贴纸。
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