铠侠BiCS闪存技术解析：QLC与TLC双轴并进下的存储选择
快科技4月1日消息，近日，一年一度的CFMS | MemoryS 2026闪存市场峰会在深圳举办，盛况空前，不但有主控、闪存芯片、SSD等相关的大量存储厂商，还吸引了桌面和移动芯片、云服务、测试、汽车等领域的众多厂商。
铠侠SSD首席技术执行官福田浩一在主题演讲中表示，生成式AI正在从训练阶段转向推理模型，而存储需求显著增长，并成为其中的关键瓶颈。
从技术演进看，他认为SSD正呈现四大方向：KV Cache扩展、NVIDIA Storage-Next、大容量QLC方案、SSD替代HDD以优化TCO。
KV Cache(键值缓存) 是大模型(尤其Transformer架构)推理时的核心加速技术，本质上就是将注意力机制中已计算的Key/Value向量放入缓存，从而避免重复计算，加速生成，支撑更长的上下文，可以理解为"大模型的短期记忆缓存"。
正因如此，KV Cache需要占用大量的显存和存储空间，尤其是对存储提出了更高的要求。
对此，铠侠推出企业级SSD CM9系列的CMX版本，容量最高25.6TB，混合耐久度支持3 DWPD(每天3次全盘写入)，适用于大规模推理环境，预计今年第三季度上市。
Storage-Next是NVIDIA主导的下一代AI原生存储架构，核心是让GPU直接发起存储I/O请求，从而绕过CPU，实现超高IOPS、超低延迟，解决大模型推理的数据瓶颈。
铠侠针对性地开发了SSD GP系列，基于XL-Flash闪存技术，并支持PCIe 6.0，首代产品的512B随机读取性能就高达10 M IOPS(千万级别)，预计2026年底提供评估样品。
再下一代产品将升级PCIe 7.0，随机读取预计将突破100 M IOPS(亿级别)。
大高容量方面铠侠有SSD LC9系列，这也是铠侠首款QLC的企业级SSD。
它采用第八代BiCS 8 QLC闪存，其中E3.L形态的最大容量达到史无前例的245.76TB，2.5英寸与E3.S形态的也有122.88TB。
它们都支持PCIe 5.0，符合NVMe 2.0、NVMe-IM规范，支持FDP，现已提供样品。
至于SSD淘汰替代HDD，铠侠并未展开明说，只是规划中，但这显然是一个长期的过程，甚至无法完全替代。
在闪存技术层面，铠侠近几年使用最广泛的是成熟的112层堆叠第五代闪存BiCS 5，而218层堆叠的第八代BiCS 8也开始逐渐普及。
未来，铠侠将采取双轴发展战略，持续同步推进第九代BiCS 9、第十代BiCS 10。
BiCS 9/10都引入了CBA技术，将闪存单元、控制电路分别放在不同晶圆上，然后双晶圆键合组成整体。
BiCS 9复用现有的闪存单元，还是218层，降低成本，控制电路则升级最新的CMOS工艺，I/O速度更高，提升性能，从而以较低成本实现更高性能，也就是降本增效。
BiCS 10则是全方位升级，堆叠可达332层，同等容量的闪存单元尺寸更小，存储密度大幅增加59％，I/O速度进一步提升33％而达到4800MHz，读写吞吐量分别提升超过10％、15％，读写数据传输的能效也提升超过15％。
铠侠认为，这样的双轴发展战略，既可以满足尖端存储应用的高级需求，保持最佳投资效率，同时也能向市场推出具有竞争力的产品。
BiCS 9/10都可以同时做出TLC、QLC闪存，而在当下，尤其是AI对于大容量存储的需求越来越迫切，QLC正逐渐成为整个行业的重点
对于QLC和TLC的生存关系，铠侠认为，QLC闪存虽然无法摆脱读写次数相对较少的天然缺陷，但经过多年发展和改进，QLC无论是自身质量，还是主控硬件、固件优化，都有了长足的进步。
因此，QLC闪存的使用范围有望逐步扩大，尤其是企业级和边缘领域，比如替代一些TLC产品和近线硬盘产品，但是QLC短期内不会彻底淘汰TLC，二者将继续并存。
在消费类产品方面，铠侠也有基于第八代BiCS 8 QLC闪存的UFS 4.1产品，已经批量生产并投入市场，专为读取密集型应用和大容量存储需求而设计，容量512GB、1TB，顺序写入提升25％，随机读写提升90％、95％，写入放大系数最高3.5倍。
铠侠表示，将继续通过分析每种应用场景的实际情况，为全球提供最适合不同领域的QLC产品。
对于整个存储行业的形势，当下的缺货行情被很多人认为是"十多年未见"，尤其是大量产能转向数据中心，导致消费级存储产品缺货、涨价更为严重。
对此，铠侠认为随着AI的快速发展，当前存储市场确实正经历着需求的快速增长，而且预计在可预见的未来，这种供需环境仍将持续，不会急剧下降。
铠侠强调，尽管AI领域非常火热，但是铠侠的技术和产品都不会将重点放在一个极端的应用上，而是在生产和销售产品时考虑到整体平衡，关注每种应用的需求趋势。
铠侠将根据市场的增长情况，相对应地增加产量，并通过监测应用需求趋势和平衡，优化产品销售组合。
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