近日,半导体领域传来一项振奋人心的突破。康奈尔大学与台积电、先进半导体材料公司携手,在芯片成像技术上取得重大进展。研究团队首次运用高分辨率三维成像技术,成功观测到芯片内部原子级别的微观缺陷——即业界常说的“鼠咬”缺陷。
这项研究成果已于今年2月23日发表在《自然通讯》期刊,它不仅标志着半导体行业的一次重要飞跃,更为高端芯片的调试与故障排查提供了前所未有的强大工具。
该项研究由大卫·A·穆勒教授领衔。团队借助电子叠影成像技术,成功捕捉到晶体管内部细微的“鼠咬”缺陷。这类缺陷形似晶体管界面上的微小缺口,形成于芯片制造过程,会干扰电子流动,进而影响芯片的整体性能。
如今,高性能芯片的晶体管通道宽度仅有15至18个原子。任何微小的结构偏差,都可能导致明显的性能损耗。
穆勒教授形象地比喻道:“晶体管就像是电子的‘微型管道’,内壁越粗糙,电子流动就越慢,精准测量其状态至关重要。”
过去,人们只能通过投影图像来推测芯片内部结构。如今借助这项技术,工程师可以直接观测关键工序后的芯片状态,从而精准调整各项工艺参数。
穆勒教授指出,这是目前唯一能直接观测此类原子级缺陷的方法,将成为芯片开发阶段的重要特征化工具有助于工程师更精准地识别故障、完成调试。
研究团队计划进一步拓展电子叠影成像技术的应用,深入研究并减少缺陷,从而持续提升芯片的可靠性,以应对日益增长的人工智能和高性能计算需求。
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