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英特尔酷睿Ultra AI PC芯片:18A工艺性能解析

英特尔酷睿Ultra AI PC芯片:18A工艺性能解析

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2026-02-24

IT之家1月31日消息,英特尔代工服务部门近日发布了技术文档,详细展示了其“AI芯片测试载具”,旨在验证该企业在先进封装领域的制造能力。

据IT之家引述文章介绍,这种测试载具并非最终上市销售的商品,而是为验证制造工艺与设计思路可行性而制作的“工程样机”,类似于汽车厂商发布的概念车或测试车辆。

根据技术文档,该测试载具的系统级封装尺寸达到光罩尺寸的8倍,内部集成了4个大型逻辑计算单元、12个HBM4级别的内存堆栈以及2个I/O单元。

值得注意的是,与上月展示的“16个逻辑单元+24个内存堆栈”概念模型不同,此次展示的方案代表了英特尔目前已实际具备的量产制造能力。

在核心工艺上,该测试平台的核心逻辑单元采用了英特尔最先进的18A工艺,集成了RibbonFET全环绕栅极晶体管和PowerVia背面供电技术。

在芯片互连方面,英特尔采用了EMIB-T 2.5D嵌入式桥接技术。通过在连接器内部添加硅通孔,电力和信号不仅能够横向传输,还能实现垂直传输,从而最大化互连密度。其设计支持高达32 GT/s的UCIe接口标准。

芯片堆叠方面,英特尔将利用Foveros 3D封装技术(包括Foveros 2.5D、Foveros-R和Foveros Direct 3D)实现垂直堆叠芯粒。底层的18A-PT基础芯片位于计算芯片下方,可作为大容量缓存或用于处理额外任务。

供电方面,英特尔将支持“Semi”级集成电压调节器,并利用嵌入式同轴磁性传感器和多层电容网络等技术,集成全套供电创新解决方案。

与台积电CoWoS-L将电压调节器置于中介层不同,英特尔将其置于每个堆栈及封装下方。这种设计旨在应对生成式AI工作负载产生的瞬时电流波动,确保在不损失电压余量的情况下,提供清洁、稳定的电力。

来源:https://www.163.com/dy/article/KKJV34480511B8LM.html
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