长江存储三期2026年投产，近半产能转产DRAM并研发HBM
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今年二月，武汉集成电路产业迎来了又一个千亿级项目——长江存储三期的正式动工。按照计划，这座全新的生产基地将在年内建成并投入运营。目前，项目正处于关键的建设阶段，超大型洁净厂房的设备安装工作已经全面铺开。据项目负责人透露，三期工程正按预定计划稳步推进，建成后预计将有力带动上下游约两百家企业在本地的聚集与发展。
长江存储三期项目于去年九月正式启动布局，同步完成了长存三期（武汉）集成电路有限责任公司的注册设立。公司注册资本达二百零七点二亿元，这是继2024年长存二期公司成立之后，长江存储在半导体领域实施的又一项重大战略部署。
在产能规划上，新厂区将继续进行NAND闪存的生产，同时明确会将一半的产能转向DRAM制造。此外，长江存储还将联合国内存储封测企业，面向人工智能计算的需求，协同研发并量产高带宽内存产品。
去年，长江存储的产能约占全球存储芯片总产能的7%至8%。若三期项目如期达产，其全球市场份额有望在2026年突破10%。
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