在全球内存价格持续攀升的背景下，中国DRAM巨头长鑫存储的一项低价策略，为本就暗流涌动的存储器市场投下了一颗重磅炸弹，瞬间引发了多空双方的激烈博弈。

据报道，长鑫存储针对32GB DDR4-3200 ECC内存模组，推出了138美元的“破盘价”。这一价格仅为当前国际市场300-400美元行情的三分之一左右，瞬间在全球市场引发震动。

这次的低价举措直接点燃了市场的恐慌情绪。投资者普遍担忧，存储产业将再度陷入激烈的价格红海竞争中。就在此前，内存板块刚刚迎来的短暂回暖势头，随即因这则消息而承压下挫。

其中，DRAM领域的双雄——华邦电与南亚科首当其冲，股价分别暴跌9.05%和5.61%。此外，群联、品安、晶豪科、至上、威刚、宇瞻及华东等多只个股跌幅均超过半根停板，板块内恐慌氛围浓厚。

此次市场剧烈波动的背后，折射出全球存储器市场正在经历结构性变化。随着AI运算需求呈现爆发式增长，全球存储器市场已进入新一轮超级周期。早在2025年底，相关产品的售价便已大幅上涨，甚至打乱了多款电子产品原定于2026年的生产布局。

在此行业背景下，长鑫存储、长江存储等中国存储大厂正加速布局，全力抢抓市场机遇。

扩产动作尤为迅猛的长鑫存储，已决定加速扩建上海厂区。据规划，该厂区规模将达到合肥总部的2至3倍，主要聚焦于服务于服务器、个人电脑及车用电子所需的DRAM产品生产。

按照时间表，上海厂区的设备装机预计于2026年下半年启动，2027年将正式进入投产阶段。投产后，将显著提升长鑫存储在全球DRAM市场的供给能力。

与此同时，中国NAND Flash大厂长江存储也在同步发力。其位于武汉的三期项目，原定于2027年达成的量产目标，有望提前至2026年下半年启动。更值得关注的是，长江存储计划调整发展战略，将新厂约50%的产能转向DRAM产品生产，正式开启NAND与DRAM双领域并行发展的新模式，进一步完善中国存储产业的产品矩阵。

对于中国存储厂商的崛起及市场格局变化，Yole Group亚洲区主管Gary Huang分析指出，当前全球内存供给持续吃紧，这一市场环境为新进入者创造了有利的发展契机。

加之中国本土的政策支持，正推动更多客户主动寻找替代性供应来源。这不仅为长鑫存储、长江存储等中国厂商带来了新的成长动能，也将深刻影响全球存储器市场的未来竞争格局。