长鑫上海新厂扩DRAM产能，长江武汉三期晶圆厂布局AI存储
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2026年2月初，全球存储芯片供应持续紧张，在此背景下，中国两家主要存储芯片企业正加速推进产能扩张，以提升市场响应能力与技术竞争力。
作为国内规模最大的动态随机存取存储器制造商，长鑫存储正在上海建设一座全新的生产基地。该工厂建成后，新增产能预计将达到其合肥总部基地现有产能的两到三倍。设备安装工作计划于2026年下半年启动，并在2027年实现正式量产，产品将覆盖服务器、个人电脑及汽车电子等多个应用领域。与此同时，企业还在上海同步扩建高带宽存储器产线，重点满足人工智能对高性能内存日益增长的需求。
目前，长鑫存储位于合肥与北京的现有工厂均已满负荷运行。据内部人士透露，国内下游客户订单需求旺盛，企业亟需通过扩大产能来保障供应稳定。
另一家核心企业长江存储，作为国内领先的NAND闪存制造商，正在武汉推进第三座晶圆厂的建设，预计同样于2027年投入运营。新厂在规划阶段即明确兼顾多种产品布局：除延续NAND闪存制造外，将有半数产能用于DRAM生产；此外，还将联合国内存储封装企业，共同开发适用于人工智能计算场景的高带宽存储器产品。
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