长江存储携长鑫启动大规模扩产,应对全球芯片短缺危机
2月3日,半导体市场传来新动态。在全球存储芯片持续短缺的背景下,中国两大存储巨头正积极展开扩张,意图抢占市场发展的先机。
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根据日经亚洲的报道,国内领先的存储芯片制造商长江存储与长鑫存储,均已启动了其有史以来规模最大的产能扩充计划,旨在缩小与三星、SK海力士等国际行业龙头之间的差距。
报道指出,作为中国最大的DRAM制造商,长鑫存储正在上海兴建新的生产基地。该工厂建成后,其新增产能预计将达到合肥总部基地现有规模的两到三倍。
据悉,新工厂计划于2026年下半年开始设备安装,目标在2027年正式投入量产。其产品将覆盖服务器、个人电脑、汽车电子等多个重要领域。与此同时,公司还在上海同步扩建HBM(高带宽内存)生产线,以满足市场对人工智能算力日益增长的需求。
有知情人士透露,长鑫存储位于合肥与北京的两座现有工厂,目前均已处于满负荷运转状态。“国内客户的需求极为旺盛,公司希望尽快扩大产能,以抓住市场机遇。”这位人士表示。
另一方面,中国主要的NAND闪存制造商长江存储也未有停歇,正在武汉建设其第三座工厂,规划于2027年投产。
消息进一步披露,长江存储已明确了新工厂的产能规划。除生产NAND闪存外,该工厂约50%的产能将用于制造DRAM产品。公司还将与本土封测企业展开深度合作,共同研发并生产面向人工智能计算场景的HBM产品。

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