2月3日，半导体市场传来新动态。在全球存储芯片持续短缺的背景下，中国两大存储巨头正积极展开扩张，意图抢占市场发展的先机。

根据日经亚洲的报道，国内领先的存储芯片制造商长江存储与长鑫存储，均已启动了其有史以来规模最大的产能扩充计划，旨在缩小与三星、SK海力士等国际行业龙头之间的差距。

报道指出，作为中国最大的DRAM制造商，长鑫存储正在上海兴建新的生产基地。该工厂建成后，其新增产能预计将达到合肥总部基地现有规模的两到三倍。

据悉，新工厂计划于2026年下半年开始设备安装，目标在2027年正式投入量产。其产品将覆盖服务器、个人电脑、汽车电子等多个重要领域。与此同时，公司还在上海同步扩建HBM（高带宽内存）生产线，以满足市场对人工智能算力日益增长的需求。

有知情人士透露，长鑫存储位于合肥与北京的两座现有工厂，目前均已处于满负荷运转状态。“国内客户的需求极为旺盛，公司希望尽快扩大产能，以抓住市场机遇。”这位人士表示。

另一方面，中国主要的NAND闪存制造商长江存储也未有停歇，正在武汉建设其第三座工厂，规划于2027年投产。

消息进一步披露，长江存储已明确了新工厂的产能规划。除生产NAND闪存外，该工厂约50%的产能将用于制造DRAM产品。公司还将与本土封测企业展开深度合作，共同研发并生产面向人工智能计算场景的HBM产品。