2月2日消息，近日关于苹果携手英特尔的消息不胫而走，引发了科技界的广泛关注。
有证券机构披露，苹果计划将部分M系列处理器及非Pro版iPhone芯片的代工订单交由英特尔负责，预计将在2027年出货的低端M系列芯片以及2028年iPhone标准版芯片中，采用英特尔的18A-P先进制程工艺。
据悉，苹果公司已与英特尔签署了保密协议，并获取了其先进的18A-P制程的PDK（工艺设计套件）样本，用于产品评估。资料显示，英特尔18A-P制程是其首个支持Foveros Direct 3D混合键合技术的工艺节点，该技术允许通过TSV实现多个小芯片的垂直堆叠。
然而，业内专家对这一合作前景泼了冷水，认为英特尔绝无可能代工iPhone芯片，主要原因在于BSPD（背面供电）技术。
具体来说，台积电在部分工艺节点采用BSPD、部分不采用，以此灵活优化其产品组合；而英特尔则在其最先进的18A和14A工艺上全面押注BSPD技术。
据了解，BSPD的优势在于提升芯片性能，由于芯片通过背面更短、更粗的金属路径供电，这降低了电压降，支持更高、更稳定的工作频率。但对于移动芯片而言，这种方案带来的性能增益微乎其微。
更糟糕的是，该方案会带来严重的自发热效应，需要额外的散热措施。因为垂直散热效果较差，横向散热也更不理想，在许多依赖空气散热或存在温度限制的场景中，这根本无法实现。
由于这些散热问题，业内人士认为，英特尔在短期内绝无可能获得iPhone芯片的代工订单。当然，M系列处理器由于散热空间相对较大，或许仍存在合作的可能性。
