据财联社1月26日消息，有媒体周一援引知情人士报道称，韩国存储芯片巨头三星电子计划从二月开始生产其下一代高带宽存储芯片，即HBM4，并将向英伟达供货。
该消息人士拒绝透露三星计划向英伟达供应芯片的具体数量等细节。
韩国经济日报周一也援引芯片行业消息人士报道称，三星的HBM4芯片已通过英伟达和AMD的认证测试，将于下月开始向这两家公司供货。
受上述消息影响，三星电子股价周一早盘一度上涨逾2%，而其本土竞争对手SK海力士的股价则下跌近3%。
三星HBM4通过最终质量测试，并将向主要客户供货，这有望帮助该公司在面向人工智能（AI）的存储芯片竞争中重新夺回领先地位。
三星曾在HBM领域长期落后于SK海力士。过去几年，该公司彻底改革了其HBM和半导体业务部门，旨在扭转局面，如今改革成果开始显现。
从市占率来看，过去数月，三星在全球HBM市场的份额稳步上升，从去年第一季度的13%增长至第三季度的超过20%。分析人士预计，今年这一数字将超过30%，缩小与目前市场领导者SK海力士之间的差距。
SK海力士去年10月份曾表示，已就2026年的HBM供应事宜与主要客户完成了谈判。
本月早些时候，SK海力士一名高管透露，该公司计划下个月将硅晶圆投入位于韩国清州的新工厂M15X中，用于生产HBM芯片。但他未详细说明，初期生产是否会包含HBM4芯片。
三星和SK海力士均将于本周四公布2025年第四季度财报，届时两家公司预计将披露有关HBM4订单的详细信息。
三星电子本月早些时候发布的2025年第四季度初步业绩显示，受益于AI热潮下的存储芯片涨价潮，当季公司营业利润大幅增长，且好于市场预期。
根据初步业绩，三星电子去年10月至12月期间的营业利润为20万亿韩元（约合138.2亿美元），较上年同期飙升208%，高于LSEG SmartEstimate预计的18万亿韩元。这将是三星有史以来最高的季度营业利润。
英伟达首席执行官黄仁勋本月初表示，公司下一代芯片——Vera Rubin平台已“全面量产”。该平台计划于2026年下半年正式推出，并向客户供货。该平台将与HBM4芯片搭配使用。
