三星闪存价格飙升100%+，涨幅远超市场预期
1月25日消息，据媒体报道，今年第一季度，三星已将其NAND闪存的供应价格上调超过一倍，这一涨幅远超市场预期，凸显出当前半导体市场严重的供需失衡局面。
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据行业知情人士透露，三星电子已于去年年底完成了与主要客户的供应合同谈判，并从今年1月起开始执行新的定价体系。
此次大幅提价紧随此前DRAM内存价格上涨近70%之后，成为存储市场又一个强烈的价格上涨信号。目前，三星已开始与客户就第二季度NAND价格展开新一轮谈判，市场普遍预计涨价趋势仍将持续。
此番价格剧烈调整的背后，直接反映出人工智能基础设施建设对高性能存储设备的迫切需求。随着数据中心扩张带动企业级固态硬盘需求爆发，以及“端侧AI”推动手机、个人电脑等设备向大容量存储升级，存储芯片的需求正呈现指数级增长态势。
然而，供应端却未能同步跟进。在过去一年中，包括三星在内的主要制造商均未进行大规模产能扩张，整体投资策略保持审慎。
尽管并未公开宣布减产，但行业出货量增长有限，加上制程转换带来的产能置换影响，实际有效供给远远滞后于需求的增长，导致市场陷入“有价无货”的局面。
存储芯片价格的剧烈波动，正逐渐成为人工智能产业发展的制约因素。随着DRAM与NAND价格双双大幅上涨，人工智能基础设施的构建成本正持续攀升。
业内已出现担忧声音，认为存储成本的高涨可能拖慢人工智能技术的普及进程。
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