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三星闪存价格飙升100%+,涨幅远超市场预期

时间:2026-01-25 15:48
1月25日消息,据媒体报道,今年第一季度,三星已将NAND闪存的供应价格上调超过100%,涨幅远超市场预期,凸显出当前半导体市场严重的供需失衡。据行业知情人士透露,三星电子已于去年年底完成与主要客户

1月25日消息,据媒体报道,今年第一季度,三星已将其NAND闪存的供应价格上调超过一倍,这一涨幅远超市场预期,凸显出当前半导体市场严重的供需失衡局面。

据行业知情人士透露,三星电子已于去年年底完成了与主要客户的供应合同谈判,并从今年1月起开始执行新的定价体系。

此次大幅提价紧随此前DRAM内存价格上涨近70%之后,成为存储市场又一个强烈的价格上涨信号。目前,三星已开始与客户就第二季度NAND价格展开新一轮谈判,市场普遍预计涨价趋势仍将持续。

此番价格剧烈调整的背后,直接反映出人工智能基础设施建设对高性能存储设备的迫切需求。随着数据中心扩张带动企业级固态硬盘需求爆发,以及“端侧AI”推动手机、个人电脑等设备向大容量存储升级,存储芯片的需求正呈现指数级增长态势。

然而,供应端却未能同步跟进。在过去一年中,包括三星在内的主要制造商均未进行大规模产能扩张,整体投资策略保持审慎。

尽管并未公开宣布减产,但行业出货量增长有限,加上制程转换带来的产能置换影响,实际有效供给远远滞后于需求的增长,导致市场陷入“有价无货”的局面。

存储芯片价格的剧烈波动,正逐渐成为人工智能产业发展的制约因素。随着DRAM与NAND价格双双大幅上涨,人工智能基础设施的构建成本正持续攀升。

业内已出现担忧声音,认为存储成本的高涨可能拖慢人工智能技术的普及进程。

三星闪存涨价100% 涨幅远超市场预期

来源:https://m.mydrivers.com/newsview/1100366.html
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