这一波存储芯片的涨价势头丝毫没有减弱的迹象，连那些“传统产品”的价格也迎来了春天。

近日，投行摩根士丹利发布报告指出，传统存储芯片的供需缺口正在持续扩大，从2025年第二季度到2026年，行业将迎来新一轮超级周期。DDR4、DDR3、NOR Flash以及SLC/MLC NAND等内存产品的供应紧张态势加剧，市场目前找不到悲观的理由。

报告分析称，由于先进制程存储产品需求强劲，成熟制程的产能分配受到挤压。2026年1月，头部企业对DDR4芯片的采购表现积极，但受供应限制，其一季度价格涨幅可能达到50%，涨势将延续至第二季度。随着产能向DDR4转移，高密度DDR3芯片也将严重短缺，从而带动相关供应商商业绩增长。

闪存芯片方面，摩根士丹利预计NOR Flash的报价在2026年一季度会上涨20%至30%，涨价趋势或延续到2026年下半年。而随着常规NAND Flash供应大幅缩减，其细分类别MLC与SLC NAND一季度价格涨幅将超过50%，采用先进制程工艺的高密度SLC NAND价格涨势也将同步跟进。

基于类似的逻辑，摩根大通分析团队在最新报告中维持了对内存巨头SK海力士的“增持”评级，并将2026年12月的目标价从此前的80万韩元上调至100万韩元。分析师指出，AI内存需求的长期增长趋势不变，再加上潜在的赴美上市计划，将成为推动SK海力士股价上涨的双重催化剂。未来3到6个月内，强劲的定价动能将推高公司的盈利预期，预计2026至2027财年的每股收益（EPS）将有20%至25%的上修空间。

此前，已有多家机构预计，随着AI数据中心对高端存储产品需求的持续挤压，存储芯片价格将在2026年继续走高。

市场研究机构Counterpoint在今年1月的报告中指出，内存市场已经进入“超级牛市”阶段：“当前状况超越了2018年的历史高峰，供应商的影响力达到历史新高，这主要源于对AI和服务器容量的无尽需求。预计内存价格在2025年第四季度激增40%至50%，还将在2026年第一季度上涨40%至50%，在第二季度上涨20%左右。”

Counterpoint认为，尽管相关厂商在增加资本投入，但产能增长存在显著的时间延迟，导致严重的供需失衡。预计2026年DRAM存储器产量将同比增长24%，不过，仍需要一段时间来满足需求。

市场研究机构IDC也在去年12月的报告中表示，到2025年底，全球半导体生态系统经历了前所未有的内存芯片短缺，这一连锁反应可能持续到2027年。IDC预计，2026年DRAM和NAND的供应增长率将低于历史平均水平，同比分别为16%和17%。

IDC的分析师团队写道：“这并非只是供需错配引发的周期性短缺，而可能是全球硅晶圆产能一次潜在的、永久性的战略再分配。数十年来，用于智能手机和个人电脑的DRAM与NAND闪存一直是存储产能的主要驱动力。如今，这一动态已经逆转。微软、谷歌、Meta和亚马逊等超大规模服务商对HBM的贪婪需求，已迫使三大内存制造商将有限的洁净室空间和资本支出转向利润率更高的企业级组件。这是一场零和博弈。”