2026年初，在美方持续推动下，台积电正式宣布将进一步扩大其在美国的投资规模。此前一年，公司已额外投入千亿美元用于当地芯片制造项目，使累计投资总额达到1650亿美元。而根据最新谈判进展，这一数字还将继续上调。

美方提出，来自中国台湾地区的半导体领域总投资不应低于2500亿美元，其中台积电无疑将承担主要部分。尽管具体追加金额尚未最终确定，但已明确将超过此前新增的千亿美元规模。

除资金投入外，美方还要求台积电加快将先进制程产能向美国本土转移。据披露，相关方面期望在四年任期内，台积电能将其全球40%的产能转移至美国工厂落地生产。

对此，台积电首席财务官黄仁昭近期在接受访谈时未作直接回应，仅强调当前在美的扩产行动主要是为满足客户需求，整体建设进度符合预期。他介绍，公司在美规划兴建六座晶圆制造厂、两座先进封装厂以及一个研发中心。由于项目规模不断扩大，此前购置的1160英亩土地已无法满足需求，企业已另行收购900英亩用地以支持后续发展。

针对外界关于核心技术外流及产业空心化的担忧，黄仁昭表示，最先进的生产工艺仍将保留在中国台湾本地厂区。出于运营实际考虑，新技术节点会在本土实现稳定量产之后，才会逐步导入海外产线，该过程通常不少于一年时间。

不过值得注意的是，过去台积电曾明确遵循“落后两代”原则作为技术输出标准。按照业内平均两年更新一代工艺的节奏，这意味着海外工厂至少应滞后四年。而目前美国厂区已开始量产仅一年的新工艺，实际执行情况与原有承诺存在明显出入。

从技术演进角度看，当前3纳米至2纳米乃至后续A16工艺之间的代际差异趋于模糊，关键技术特征重叠度较高。因此即便名义上存在代差，美国工厂所掌握的技术水平与本土主力产线之间的实际差距，远比表面数据显示的更为接近。