三星1c nm DRAM良率突破60% 加速量产HBM4
1月17日，韩国媒体消息称，三星电子第六代10纳米级DRAM制程工艺（即1c nm）的良品率已大幅提升至60%左右，成功跨越了规模化量产的成本门槛。这一进展被视为关键突破，因为三星即将推出的HBM4内存在很大程度上依赖于这项核心技术。更高的DRAM晶粒良率意味着，未来在HBM4产品上能更好地控制成本，并打开利润空间，从而有望提升公司的整体业绩。
报道进一步指出，三星电子已经调整了该项目的发展策略。此前公司采取的是优先保证良率、谨慎推进量产的策略，如今则回归快速放量的传统模式，以更主动的姿态应对瞬息万变的市场需求。此举或将帮助三星从英伟达等主要客户手中争取到更多订单，从而巩固其在激烈的市场竞争中的地位。
此前，有业内人士分析认为，在当前HBM3E平台需求持续走强、产品规格不断提升的背景下，高带宽内存的大规模生产预计最早将在2026年第一季度末逐步展开。目前，三星电子、SK海力士与美光仍有时间窗口继续优化产品良率，为下一阶段的市场竞争做好充分准备。
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