三星电子量产业界首款1c nm技术DRAM,良率突破盈亏平衡点
1月17日,韩国媒体IT Chosun发布报道称,三星电子在第六代10纳米级DRAM制程工艺(即1c nm)方面的良率已提升至60%左右,成功突破了量产盈亏平衡点。
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这一进展被视为重要里程碑,因为三星电子的HBM4内存正是基于1c nm DRAM技术。随着DRAM晶圆良率提高,三星有望在HBM4产品上获得更多利润,从而进一步提升其业绩表现。

报道指出,三星电子近期改变了在1c DRAM上的策略,从以往优先考虑良率、谨慎推进量产的节奏,回归到快速进入量产以更灵活应对市场波动的传统模式。这种转变有助于三星从英伟达等重要客户手中赢得更多订单。
TrendForce集邦咨询此前分析称,在规格要求提升、现有HBM3E平台需求旺盛的背景下,HBM内存的量产最快可能在2026年第一季度未启动。届时,三星电子、SK海力士和美光仍有时间继续优化产品的良率表现。
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