我国科研团队实现半导体材料技术重大突破！西安电子科技大学团队首创“离子注入诱导成核”技术，成功将晶体生长从随机过程转变为精准可控的均匀生长，把原本粗糙的“岛状”界面提升为原子级平整的“薄膜”。实验结果显示，新结构界面热阻仅为传统材料的三分之一，这意味着芯片的散热效率与器件性能得到了飞跃式提升。
基于该技术制备的氮化镓微波功率器件，刷新了输出功率密度的国际纪录，最高提升达40%。同等芯片面积下，设备的探测距离得以显著增加，通信基站也能覆盖更远、更节能。
编辑: 于一麦
责编: 刘佳
我国突破半导体材料难题，实现核心技术性能跨越
性能突破性提升！我国攻克半导体材料世界难题！近日，西安电子科技大学团队首创“离子注入诱导成核”技术，将原本随机的晶体生长过程转为精准可控的均匀生长，成功将粗糙的“岛状”界面转变为原子级平整的“薄膜”
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