西电团队攻克芯片散热难题：氮化镓射频芯片性能提升30%-40%
据西安电子科技大学最新动态，郝跃院士带领张进成教授团队在芯片散热这一核心难题上取得了历史性突破。团队创新性地将材料间的“岛状”连接转化为原子级平整的“薄膜”，使得芯片的散热效率与综合性能实现了跨越式提升。自2014年相关成核技术获得诺贝尔奖以来，这一问题始终未能彻底解决，成为制约射频芯片功率提升的关键瓶颈。如今，工艺的突破直接带来了器件性能的惊人飞跃。基于这项创新的氮化铝薄膜技术，研究团队制备出的氮化镓微波功率器件，在X波段和Ka波段分别实现了42W/mm和20W/mm的输出功率密度。这一数据将国际同类器件的性能纪录提升了30%至40%，是近二十年来该领域最大的一次突破。这意味着，在芯片面积不变的情况下，装备探测距离可以显著增加；对于通信基站而言，则能实现更远的信号覆盖和更低的能耗。更深远的影响在于，它为5G/6G通信、卫星互联网等未来产业的发展，储备了关键的核心器件能力。
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