三星Exynos芯片将采用SoC与内存3D堆叠封装技术
12月30日消息，据韩国媒体ZDNET Korea报道，三星电子正在研发一项名为FOWLP-SbS的先进封装技术，这项技术有望显著提升Exynos芯片的散热能力。
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目前，高端移动处理器（例如Exynos 2600）通常在SoC Die逻辑芯片上集成封装DRAM内存，这样做既能优化布线，也能缩减占用的空间。此外，Exynos 2600还在SoC Die上引入了HPB散热结构，从而将热阻降低了多达16%。
▲ Exynos 2600结构示意图
而在采用FOWLP-SbS封装的芯片上，SoC Die和DRAM将并排放置，上方共同覆盖HPB散热结构。这种布局有利于扩大SoC Die与HPB的接触面积，从而进一步增强散热效果。预计SoC Die与DRAM之间将通过混合键合技术实现短距离的高效互连。
韩媒分析指出，FOWLP-SbS技术可以降低封装成品的厚度，支持使用更厚的SoC Die和DRAM芯片，有助于优化供电线路设计。不过，该技术也存在占用面积更大的劣势。预计它将优先应用于注重厚度的折叠屏设备上，这类设备对平面空间的限制相对较小。
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