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台积电2纳米量产在即,手机芯片将迎新分层时代

时间:2026-01-06 09:31
台积电近日在游戏发布消息,宣布其2纳米制程技术已按既定规划于2025年第四季度进入量产阶段,此举标志着半导体制造正式迈入2纳米时代。相较前代N3E工艺,新一代N2制程在保持相同功耗水平下可实现10%

台积电2纳米量产在即,旗舰手机芯片迎来分层时代

近日,台积电在游戏发布活动上对外确认,其2纳米制程技术已按既定规划将于2025年第四季度步入量产阶段。这意味着半导体制造领域正式跨入2纳米时代。相较于前代N3E工艺,新一代N2制程在维持相近功耗水平的前提下,可实现10%至15%的性能提升;若以相同运行速度比较,功耗更能降低25%到30%,能效表现获得显著优化。

从已披露的产品路线图来看,高通下一代骁龙8 Elite Gen6系列以及联发科天玑9600系列芯片均将采用此2纳米制程进行生产。在芯片性能与能效跃升的同时,制造成本亦大幅上扬。业内信息显示,台积电2纳米晶圆的单价预计将突破3万美元,较4纳米制程近乎翻倍,这一变化将直接传导至终端设备,推高整体硬件制造成本。

受成本上涨影响,预计2026年下半年发布的旗舰手机产品线将迎来结构性调整。有消息称,部分厂商正对其产品策略进行重新规划:下一代旗舰机型的标准版本将继续沿用现有的3纳米芯片,例如骁龙8 Elite Gen5或天玑9500,以控制成本并维持售价稳定或仅小幅上调;而定位更高的Pro版和Ultra版则会率先搭载最新的2纳米芯片,以此体现高端差异化。

由此可见,今年下半年发布的旗舰手机中,标准版与高阶版本之间的配置差距将进一步拉大。通过芯片分层策略,厂商在保障利润空间的同时,也为不同消费层级提供了更具针对性的产品选择。

来源:https://mobile.zol.com.cn/1113/11130679.html
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