英特尔与ASML完成首台二代High NA EUV光刻机验收测试
IT之家12月16日消息，英特尔在当地时间昨日宣布，已携手ASML成功完成了首台第二代High NA EUV光刻机TWINSCAN EXE:5200B的“验收测试”。
相较于主要用于工艺前期研发的第一代机型EXE:5000，这台EXE:5200B的“量产用设备”属性更为突出：它配备了更高功率/剂量的EUV光源，晶圆吞吐量提升至每小时175片；套刻精度提升至0.7纳米；此外，通过新的晶圆存储结构设计，系统整体运行的稳定性也得到了显著增强。
英特尔在同一篇博客文章中还提到，在2025年的IEEE IEDM会议上，其与imec合作展示了针对2DFET材料氧化层帽结构的选择性凹陷刻蚀技术，以及在12英寸试验生产线上制造出的具备大马士革型顶接触的晶体管。
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