12月29日消息，据台媒 UNIKO’s Hardware 报道，三星半导体官网上其 DRAM / DDR 产品专区现已列出多款处于“样品”阶段的 DDR5 内存颗粒新品。

其中，采用 78 FBGA 封装的 PDRQL8KCBF12-00 和采用 102 FBGA 封装的 PDRQLAKCDF12-00，均可在 1.1V 的 JEDEC 标准工作电压下支持高达 7200Mbps 的数据传输速率，较此前 6400Mbps 的标准速率实现了进一步提升。

值得注意的是，英特尔下一代 Panther Lake 处理器中已确认的 16核（4P + 8E + 4LPE）4Xe 配置将支持 7200MT/s 的 DDR5 SO-DIMM 内存；而 Arrow Lake S Refresh 平台预计也将支持 7200MT/s 的 DDR5 CUDIMM。此外，SK 海力士的 7200Mbps（7200MT/s）级别产品也早已在市场上亮相。

同样值得关注的是，从至少 DDR2 时代起，三星的 DDR 颗粒型号命名均以“K4”开头（分别代表三星存储业务和 DRAM 产品），但此次处于样品阶段的四款芯片却并未遵循这一传统格式。