三星电子发布原生7200 Mbps速率DDR5内存颗粒
12月29日消息,据台媒 UNIKO’s Hardware 报道,三星半导体官网上其 DRAM / DDR 产品专区现已列出多款处于“样品”阶段的 DDR5 内存颗粒新品。

其中,采用 78 FBGA 封装的 PDRQL8KCBF12-00 和采用 102 FBGA 封装的 PDRQLAKCDF12-00,均可在 1.1V 的 JEDEC 标准工作电压下支持高达 7200Mbps 的数据传输速率,较此前 6400Mbps 的标准速率实现了进一步提升。
值得注意的是,英特尔下一代 Panther Lake 处理器中已确认的 16核(4P + 8E + 4LPE)4Xe 配置将支持 7200MT/s 的 DDR5 SO-DIMM 内存;而 Arrow Lake S Refresh 平台预计也将支持 7200MT/s 的 DDR5 CUDIMM。此外,SK 海力士的 7200Mbps(7200MT/s)级别产品也早已在市场上亮相。
同样值得关注的是,从至少 DDR2 时代起,三星的 DDR 颗粒型号命名均以“K4”开头(分别代表三星存储业务和 DRAM 产品),但此次处于样品阶段的四款芯片却并未遵循这一传统格式。
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