12月25日，IT之家援引韩媒DealSite报道称，SK海力士计划于明年1月上旬向英伟达提供下一代HBM4的12层最终样品。
此前，SK海力士在进行SiP测试的同时，一直在推进整个系统的优化工作。在这一过程中，SK海力士与英伟达、台积电共享不良数据等“三方协作模式”也在一定程度上帮助明确了改进方向。
报道援引知情人士消息称：“经过电路修改的HBM4晶圆将在本月底完成流片。如果没有问题，计划在1月上旬向英伟达追加提供最终样品。”
知情人士还提到：“公司内部认为只要该晶圆表现良好，修订问题就基本可以解决。”
报道还称，SK海力士已于今年9月向英伟达提供了首批HBM4客户样品。当时，SK海力士为了配合英伟达紧迫的开发进度，甚至跳过了内部PRA环节，优先将样品交付。
但随后进行的认证过程中，发现了一些需要修改的问题。在将HBM等多种芯片封装成一个模块的SiP测试中，出现了速度和可靠性方面的问题。特别是在提升速度的过程中，需要对电路线进行设计调整以减少结构上的限制。因此，SK海力士向英伟达提供了数万片样品，并共同推进优化工作。
由于问题是在SiP阶段产生的，因此在SK海力士、英伟达和台积电之间的合作体系中，也进行了相关应对。从HBM4开始，SK海力士将基板芯片的生产交由台积电负责，从而巩固了“三方架构”。在此过程中，台积电工程师被派往SK海力士，共同参与基板芯片的联合开发工作。
相关人士表示：“原本在SiP测试过程中产生的不良数据并未在三方之间共享。即使英伟达提出请求，台积电也没有提供相关信息。但最近，台积电也开始在HBM4生产过程中，对于出现可靠性不良问题的环节向SK海力士共享数据，三方之间的信息交流正在展开。”
目前，SK海力士已经具体掌握了不良产生的机制，据悉生产良率并未出现明显问题。该公司表示，希望按照原计划推进HBM4的正式量产。
修改后的样品在明年1月上旬再次提交后，假设快速完成质量测试，正式量产时间预计将在2~3月。这样，从第二季度开始就可以实现产能提升。
