1月19日消息，据韩国媒体ETNews在本月14日发布的报道，SK海力士位于中国江苏无锡的DRAM内存晶圆厂，已完成一次关键制程升级。其核心制造工艺从1z nm（第三代10纳米级）正式跨越至1a nm（第四代10纳米级）阶段——这并非小规模的迭代调整，而是一次实质性的技术跃迁。

无锡工厂在SK海力士全球产能布局中占据举足轻重的地位——承担着约三分之一的DRAM总产能。报道提供了具体数据：目前每月约18万至19万片12英寸晶圆的投片量中，已有接近90%切换至1a nm制程。换言之，这座工厂几乎全面换装了最新的工艺节点。

然而，这一升级并非简单的“更换设备、启动产线”即可完成。1a nm制程依赖于EUV（极紫外）光刻技术，而相关设备的进口目前受到管制。因此，无锡工厂生产的1a nm晶圆需要先运回韩国，在当地完成部分关键制程步骤。这种“两地接力”的合作模式，既体现了技术升级的紧迫性，也折射出当前供应链的现实约束。

▲ SK海力士无锡生产基地

截至发稿，SK海力士官方对ETNews的这则报道未予回应，拒绝发表评论。不过，从行业公开信息来看，产能与技术路线的调整往往比官方声明更能说明问题。