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揭秘英特尔Fab 52工厂:15台EUV光刻机月产超4万晶圆

揭秘英特尔Fab 52工厂:15台EUV光刻机月产超4万晶圆

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2025-12-24

12月24日消息,媒体CNBC于12月21日发布博文,探访了英特尔在美国亚利桑那州的Fab 52工厂,并指出在这场与台积电争夺全球先进制程主导权的竞赛中,英特尔凭借其在美国本土市场的布局获得了显著优势。

以下是完整的探访视频:

CNBC的报道及行业分析显示,英特尔位于亚利桑那州钱德勒的Fab 52工厂,无论在占地面积、设备先进程度还是制造规模上,均已超越台积电在该州的Fab 21一期及建设中的二期设施。

CNBC 探秘英特尔 Fab 52 美国工厂:规划 15 台 EUV 光刻机坐镇,月产超 4 万片晶圆

CNBC 探秘英特尔 Fab 52 美国工厂:规划 15 台 EUV 光刻机坐镇,月产超 4 万片晶圆

Fab 52目前已部署了四台ASML Twinscan NXE系列Low-NA EUV(低数值孔径极紫外)光刻机。值得注意的是,其中包括至少一台NXE:3800E系统,这是ASML当前最高端的Low-NA机型。

CNBC 探秘英特尔 Fab 52 美国工厂:规划 15 台 EUV 光刻机坐镇,月产超 4 万片晶圆

该设备引入了下一代High-NA光刻机的晶圆处理程序和光源技术,在30 mJ / cm² 剂量下,每小时晶圆处理量高达220片。此外,工厂还配备了三台NXE:3600D系统(处理速度160 wph)。

英特尔在Ocotillo园区规划了至少15台EUV光刻机的安装空间,为未来引进更先进的High-NA设备预留了充足的余地。

在产能与技术节点的对比中,英特尔Fab 52优势明显。台积电Fab 21一期主要生产N4和N5工艺芯片,单模块月产能约为2万片晶圆。

相比之下,英特尔Fab 52专注于更先进的18A(1.8nm及以下)制程,其月产能是台积电的2倍,预计将超过4万片。即使台积电具备N3能力的二期工厂完工,英特尔在制程代际和总吞吐量上仍将保持领先或持平。

考虑到18A工艺的复杂性远超N4,英特尔在实现这一产能规模的背后,实际上承担了更高的技术难度与制造工作量。

不过报告也指出,尽管硬件参数亮眼,但英特尔在生产节奏上面临挑战。Fab 52目前正处于Panther Lake处理器的早期生产阶段,使用的是尚未完全成熟的18A技术。英特尔预计,18A的良率要到2027年初才能达到世界级水平。

在此之前,为了控制成本和风险,工厂不会强行拉满产能,这意味着部分昂贵的产能将暂时闲置。相反,台积电在美国采用的是已经验证过的成熟工艺,能够迅速实现近100%的产能利用率。这场“先进性”与“成熟度”的博弈,将是未来三年美系芯片制造的关键看点。

来源:https://www.ithome.com/0/907/501.htm
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