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SK海力士携手英伟达推出前沿AI存储:性能高达1亿IOPS,领先现品30倍

SK海力士携手英伟达推出前沿AI存储:性能高达1亿IOPS,领先现品30倍

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2025-12-11

12月11日消息,据韩国科技媒体ZDNet Korea昨日(12月10日)报道,SK海力士正加速布局下一代AI存储技术。该公司已联手英伟达共同开发名为“AI-NAND”的新型方案,旨在突破当前存储性能的限制。

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在2025年人工智能半导体未来技术会议(AISFC)上,SK海力士副社长Kim Cheon-sung透露,公司正与全球AI芯片巨头英伟达紧密合作,致力于开发代号为“AI-N P”的次世代存储解决方案。

作为“AIN Family”产品线的一环,该方案旨在通过重构NAND与控制器架构,打通AI运算与存储间的数据传输瓶颈,以满足大规模AI推理场景对数据吞吐的极致需求。

报道进一步指出,SK海力士计划于2026年底发布基于PCIe Gen 6接口的初期样品,其读写性能预计将高达2500万IOPS。

相比当前数据中心主流的高性能企业级SSD约300万IOPS的水平,新产品的性能将实现约8至10倍的跨越式提升。

SK 海力士携手英伟达攻坚前沿 AI 存储:剑指 1 亿 IOPS,性能约为现有产品 30 倍

图源:hankyung

该公司已着手研发第二代产品,目标是在2027年底将性能推高至1亿IOPS,达到现有产品的30倍以上。

为应对AI数据中心与端侧AI的多样化需求,SK海力士正在构建包含AI-N P、AI-N B以及AI-N D的完整产品矩阵。

目前,公司正与英伟达就AI-N P进行联合概念验证,重点优化大规模数据传输时的能效与速度。通过针对性优化,将有效缓解存储系统在处理海量AI数据时的延迟问题,确保GPU算力不受存储短板拖累。

除性能型产品外,SK海力士在高带宽存储领域也取得了进展。Kim Cheon-sung表示,公司正与闪迪共同推进“AI-N B”的标准化工作。

SK 海力士携手英伟达攻坚前沿 AI 存储:剑指 1 亿 IOPS,性能约为现有产品 30 倍

图源:hankyung

该产品在业内被称为HBF,其原理类似HBM,通过堆叠NAND闪存来大幅扩展数据传输带宽。他预计AI-N B的Alpha版本将于2026年1月底面世,并在2027年推出正式样品以供评估,这将为AI存储架构提供全新的技术路径。

来源:https://www.ithome.com/0/904/181.htm
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