12月11日消息，据韩国科技媒体ZDNet Korea昨日（12月10日）报道，SK海力士正加速布局下一代AI存储技术。该公司已联手英伟达共同开发名为“AI-NAND”的新型方案，旨在突破当前存储性能的限制。
在2025年人工智能半导体未来技术会议（AISFC）上，SK海力士副社长Kim Cheon-sung透露，公司正与全球AI芯片巨头英伟达紧密合作，致力于开发代号为“AI-N P”的次世代存储解决方案。
作为“AIN Family”产品线的一环，该方案旨在通过重构NAND与控制器架构，打通AI运算与存储间的数据传输瓶颈，以满足大规模AI推理场景对数据吞吐的极致需求。
报道进一步指出，SK海力士计划于2026年底发布基于PCIe Gen 6接口的初期样品，其读写性能预计将高达2500万IOPS。
相比当前数据中心主流的高性能企业级SSD约300万IOPS的水平，新产品的性能将实现约8至10倍的跨越式提升。
该公司已着手研发第二代产品，目标是在2027年底将性能推高至1亿IOPS，达到现有产品的30倍以上。
为应对AI数据中心与端侧AI的多样化需求，SK海力士正在构建包含AI-N P、AI-N B以及AI-N D的完整产品矩阵。
目前，公司正与英伟达就AI-N P进行联合概念验证，重点优化大规模数据传输时的能效与速度。通过针对性优化，将有效缓解存储系统在处理海量AI数据时的延迟问题，确保GPU算力不受存储短板拖累。
除性能型产品外，SK海力士在高带宽存储领域也取得了进展。Kim Cheon-sung表示，公司正与闪迪共同推进“AI-N B”的标准化工作。
该产品在业内被称为HBF，其原理类似HBM，通过堆叠NAND闪存来大幅扩展数据传输带宽。他预计AI-N B的Alpha版本将于2026年1月底面世，并在2027年推出正式样品以供评估，这将为AI存储架构提供全新的技术路径。
