11月28日行业消息透露，存储巨头铠侠与美国闪迪正评估在美国新建NAND闪存制造工厂的可能性，此举被视为响应美日两国政府强化半导体供应链本土化的战略要求。
目前铠侠-闪迪联盟的NAND晶圆厂均位于日本境内，而全球近90%的NAND产能集中在东亚地区。
值得注意的是，三星电子、SK海力士及美光三大存储原厂此前公布的美国建厂计划均未涉及NAND业务，使得此次潜在动向更具战略意义。
然而在美建厂面临显著风险，台积电亚利桑那州项目便是前车之鉴：2020年5月宣布的凤凰城工厂直至2024年4月方才正式动工，实际量产时间较原计划大幅延后，凸显美国本土半导体制造面临的工程管理、人才供给等系统性挑战。
行业分析指出，即使铠侠与闪迪最终推进美国建厂计划，从选址决策到设备调试至少需要3-5年周期。这意味着未来两至三年内，全球NAND闪存供应格局将维持现有态势，新建工厂短期内难以对市场产生实质性影响。
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