12月11日，《日经亚洲》发文透露，铠侠（KIOXIA）计划于2026年启动其新一代BiCS10 3D NAND闪存的量产，以满足大容量企业级固态硬盘日益增长的市场需求。
据悉，铠侠的BiCS10产品将采用332层堆叠技术，支持高达4.8Gbps的I/O接口速率，其位密度相比现有的BiCS8将大幅提升59%。报道进一步指出，BiCS8的量产晶圆厂将设于岩手县北上新落成的Fab 2工厂。
与此同时，铠侠也将在2025财年末开始量产BiCS9 NAND。该系列产品将在现有BiCS5、BiCS8存储阵列的基础上，通过外围电路采用CBA（Circuit Bonding Array）技术，进一步实现性能跃升。BiCS9系列计划在三重县四日市工厂投入生产，主要面向智能手机等高增长需求市场。
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