据媒体报道，当地时间11月27日，三星电子旗下SAIT（原三星先进技术研究院）宣布，其关于新型NAND闪存结构的研究成果已发表于《自然》杂志。
这篇题为《用于低功耗NAND闪存的铁电晶体管的论文》指出，该研究通过创新性地融合铁电材料与氧化物半导体，首次在全球范围内明确了可使NAND闪存功耗较现有技术降低96%的核心机制。
值得关注的是，这项新突破有望显著提升包括人工智能数据中心和移动设备在内的多个领域的能效表现。
NAND闪存作为非易失性存储介质，其特点是在断电情况下仍能长期保存大量数据。其工作原理是通过向存储单元注入电子来实现数据写入。
为提升存储密度，业界普遍采用堆叠更多存储层的方式构建芯片，但这种方式也明显增加了数据读写过程中的能耗。特别是在大规模数据中心应用场景中，功耗问题已成为亟待解决的关键瓶颈。
三星研究团队的这项重大突破，成功攻克了这一技术难题。
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