最新市场分析报告显示，DRAM与NAND闪存市场价格均呈现出明显的上涨态势。目前DRAM芯片报价已突破同容量模组价格，预示内存模组价格短期内将迎来快速上调。

在内存产品方面，DDR4与DDR5现货价格因供应方普遍持货观望而持续走高。不过由于市场上实际释放的货源数量有限，整体交易规模仍处于较低水平。尤为突出的是，DRAM芯片价格已明显高于对应模组，两者价差持续扩大。分析认为，这一现象将推动模组价格快速补涨，以逐步收敛与芯片成本之间的差距。

数据显示，本周主流规格芯片（DDR4 1Gx8 3200MT/s）的平均现货价格已升至11.857美元，较上周的11.071美元增长7.10%。

在NAND Flash领域，现货市场价格同样呈现加速上扬态势，主要受合约市场强势表现的带动，市场看涨情绪持续升温，价格上调的幅度与频次均有所增加。由于原厂供应紧张，部分中小型采购方难以通过常规渠道获得稳定货源，转而进入现货市场寻求供应。与此同时，现货渠道的贸易商也因库存稀缺而普遍采取延迟出货、减少放量的策略，进一步加剧了市场的供需失衡，推动价格持续攀升。

本周512Gb TLC晶圆的现货均价大幅上涨17.07%，达到6.455美元。展望后市，预计现货端的供应紧张局面短期内难以缓解，价格上涨动力有望延续至下一季度。