11月10日有消息透露，美光科技计划在美国纽约州克莱市新建四座大型DRAM内存晶圆厂，以满足美国本土对存储半导体日益增长的需求。然而根据本月5日公布的最终环境影响声明，该项目的建设进度已有所放缓。

尽管美光的筹备工作（本季度已启动初步场地准备）和最终目标（所有晶圆厂于2041年完工、2045年底全面投产）保持不变，但四座设施的具体施工起始时间均有不同程度的延后：

Fab 1：原计划2025年第四季度动工、2028年第二季度末完工；现调整为2026年第二季度动工、2030年第三季度完工。

Fab 2：原计划2028年第三季度动工、2030年第四季度完工；现计划2030年第四季度动工、2033年第四季度完工。

Fab 3：原计划2033年第三季度动工；现推迟至2035年第三季度动工。

Fab 4：相较于原计划延迟一个季度启动。

由于整体晶圆厂建设进度的推迟，配套的托儿所、医疗和娱乐中心的施工启动时间也相应延后。

值得注意的是，美光在今年6月与美国政府达成的新版《CHIPS》法案协议中，调整了在美DRAM产能建设顺序，将克莱园区的优先级置于总部爱达荷州博伊西的第二新晶圆厂之后。