11月6日，市场研究机构集邦咨询发布最新分析报告称，全球存储芯片市场正面临显著的价格上涨压力。在DRAM领域，供应紧张态势持续加剧，采购方普遍采取即时报价、实时下单的策略，推动现货市场价格快速攀升。NAND闪存市场同样呈现类似走势，供应商通过控制出货节奏与缩减产能维持利润空间，导致市场流通货源稀少，价格呈现持续上扬态势。

报告进一步指出，本周DRAM现货市场出现明显的囤货现象，主要源于上游产能持续受限，同时金斯顿等主要模组厂商主动收缩供货规模，进一步加剧了供应链的紧张局面。其他模组厂商为应对库存短缺问题，纷纷加快补货节奏。尽管当前现货成交价与厂商报价仍存在较大差距，但买方采购意愿依然强烈，普遍希望通过提前备货来应对后续可能出现的供应波动。

在需求持续走强的背景下，DDR5芯片现货价格本周大幅上涨30%，反映出市场供需矛盾日益突出。短期来看，供应紧张态势预计难以有效缓解，促使众多采购方提前布局，以确保今年底至明年第一季度的稳定供应。作为行业重要参考指标，主流DDR4芯片（1Gx8 3200MT/s）的平均现货价格已由上周的9.523美元升至本周的10.629美元，涨幅达到11.61%。

NAND闪存市场方面，由于近期合约价格连续大幅上调，现货价格涨势更加明显。供应商为追求更高收益，仅有限释放晶圆产能。与此同时，持货经销商普遍看好后市行情，惜售心理加剧，造成市场上可交易货源极度稀缺，实际成交寥寥无几。在供应持续收紧的预期下，价格有望继续走高。本周，512Gb TLC晶圆现货价格已上涨14.21%，达到5.514美元。