10月23日消息，全球DRAM内存市场正迎来一轮由AI基础设施建设推动的需求激增，特别是在HBM领域表现尤为突出。与此同时，通用DRAM产品的需求量也在持续攀升，而HBM产能的扩张进一步挤压了通用DRAM晶圆的投片量。市场呈现出供不应求的明显趋势，消费级内存价格也因此受到波及。
韩国《朝鲜日报》今日报道指出，考虑到通用DRAM供应短缺可能长期化，中美等地区部分下游企业正与占据全球DRAM市场70%以上份额的三星电子、SK海力士两大巨头达成2~3年的中长期合作协议。值得注意的是，以往的供应协议通常按季度或单一年度签署，这一变化显示出下游企业已将保障长期稳定供应置于优先位置，而非单纯追求库存管理的灵活性。
受利润率和供需状况差异的影响，主要DRAM内存厂商的扩产重心明显集中在HBM而非通用DRAM领域。此外，部分通用DRAM产线正逐步转向HBM生产，这意味着通用DRAM市场正面临需求提升但供应可能收紧的局面。
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