三星2nm良率大突破，抢先台积电达成技术里程碑
10月22日消息，据业内报道，三星电子近期在先进半导体技术领域展现出强劲信心，尤其对2纳米GAA制程进展表示极高期待。
报道称，在由总统办公室政策首席Kim Yong-beom主持的一次半导体产业会议上，三星设备解决方案部门总裁兼技术长Song Jae-hyuk对2纳米GAA制程给予了高度评价。
过去几年间，三星晶圆代工业务表现始终不尽如人意，市场份额被台积电大幅领先，但目前形势似乎正在迎来转机。
报告指出，三星已将2纳米GAA的良率目标从原先设定的50%大幅提升至70%，并计划在2025年底前实现这一目标。
一位知情人士透露，三星高管在会议上的表态可解读为：公司正顺利推进其预期的2纳米制程良率和芯片性能目标。
Song Jae-hyuk更是展现了雄心壮志，希望借助2纳米GAA节点的成功，最终在全球晶圆代工市场夺回领先地位。不过他也坦言，在追赶台积电以及应对技术和人才挑战方面，公司需要政府提供强有力支持。
三星首款采用2纳米GAA技术的芯片将是其自研Exynos 2600，初步内部测试结果显示，Exynos 2600性能超越了竞争对手苹果的A19 Pro和高通第五代骁龙8至尊版。
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