10月21日行业消息指出，据《The Elec》今日报道，三星电子将于10月22日在首尔COEX开幕的半导体博览会（SEDEX）2025上公开展示其HBM4内存产品，亮相时间比业内预期更早。与此同时，SK海力士也已确认将参展。

有知情人士透露：“两家公司正在为HBM4展示筹备专用展区”，并补充说明“VIP参观环节结束后，普通观众也将有机会亲眼目睹HBM4实体芯片”。

针对相关报道，三星电子与SK海力士相关负责人都作出回应：“在半导体展会上展出HBM4确有其事。”

此前行业普遍预测三星将在27日至31日于龙仁举办的2025三星技术展上首次在韩国展示HBM4，而本次公开亮相时间较预期提前约一周。

HBM4采用多层DRAM芯片垂直堆叠并应用硅通孔（TSV）技术的3D封装结构，相较于传统DDR技术具备更高的数据带宽和更低的功耗表现。

相关爆料显示，三星电子通过在HBM4上采用1c纳米制程工艺，再次尝试差异化竞争路径。1c属于10纳米级DRAM工艺，较上一代1b DRAM技术拥有更窄的电路线宽，在性能表现与能效方面都更具优势，此举与采用相对稳定的1b DRAM工艺的SK海力士形成鲜明技术对比。

TrendForce预测数据显示，到2025年，SK海力士将占据HBM市场59%的份额，而三星和美光则将分别占据约20%的市场份额。后续发展值得持续关注。