10月20日消息,美光科技执行副总裁兼首席商务官Sumit Sadana近日在接受《日本经济新闻》采访时指出,到2026年,DRAM内存的供应状况或比当前更加严峻。
Sadana解释道,造成这种局面的主要原因是HBM对晶圆的消耗量约为传统DRAM产品的三倍,三大内存原厂已将大量产能转向HBM生产。与此同时,新建DRAM晶圆厂所需的时间和资金成本也在攀升,短期内难以实现大规模扩产。

这位首席商务官透露,美光计划于2026年小批量出货HBM4内存,并有望在HBM领域实现比2025年更高的市场份额,朝着在HBM市占率与整体DRAM业务持平的目标更进一步。
此外,美光注意到从智能手机到汽车的整体产业平均DRAM搭载容量正在提升。在车用产品方面,美光将与客户合作重新考量更具竞争力的定价策略;至于DDR4内存,为满足客户需求,公司决定适当延长其生产周期。
