三星HBM4良率猛增50%：加速布局High-NA EUV抢占先进封装市场
10月17日消息，最新科技资讯显示，三星电子在下一代1c制程DRAM技术节点上，其HBM4产品的良率已成功提升至50%水平。与此同时，公司正加速布局High-NA EUV光刻设备的引进计划，以推动HBM4及HBM4E产品的规模化量产进程。
来自社交媒体平台的消息称，三星目前已从设备供应商ASML引进了五台最新型号的High-NA EUV光刻机。根据规划，其中两台将配置于半导体代工部门，其余三台则专门用于存储芯片业务单元，持续增强其在存储芯片制造领域的技术实力。
这一举措被业界解读为三星正在着手构建独立的内存芯片专用产线，通过优化生产流程显著提升HBM4的量产效率，同时也为后续HBM4E与HBM5的技术迭代奠定基础。一位业内人士透露，此前三星在韩国平泽园区的代工与存储业务一直共享EUV工艺资源，而此次新增设备明确划归存储部门使用，标志着业务资源配置正朝着专业化与精细化的方向演进。
目前，平泽园区DRAM生产线月均产能约达30万片晶圆，产线利用率已接近饱和状态。不过有消息人士指出，若北美客户后续追加订单需求，原定预留的三台光刻设备也可能转移至美国得克萨斯州泰勒市的晶圆制造基地进行部署。
在市场竞争格局方面，当前SK海力士仍保持领先地位，持续为核心客户供应HBM3及HBM3E系列产品，主要应用于高端GPU封装领域。三星此次加大投入力度，旨在快速扩充先进DRAM产能规模。业内人士预计，这一布局将加剧双方在高带宽存储芯片领域的竞争态势。
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