三星豪掷1.1万亿韩元 抢滩High-NA EUV光刻技术新高地
10月15日，据《韩国经济日报》最新报道，三星电子计划投入约1.1万亿韩元（按当前汇率约合54.92亿元人民币），引进两台全球最先进的High-NA极紫外（EUV）光刻机。
有业内人士透露，此前三星电子仅在京畿道园区引进过一台用于研发的High-NA EUV设备，而此次引进的设备将专门用于“规模化量产”，这在该公司历史上尚属首次。据悉，三星电子计划在今年内引进一台，并于明年上半年再引进一台。
Twin Scan EXE:5200B是第二款采用0.55数值孔径（NA）的High-NA极紫外光刻系统，也是TWINSCAN EXE:5000的升级版本。该系统在提升对准精度的同时，显著提高了生产效率，被视为生产下一代半导体芯片及高性能DRAM的关键设备。
与NXE系统相比，EXE:5200B的成像对比度提升40%，分辨能力达到8纳米，使芯片制造商能够通过单次曝光实现比TWINSCAN NXE系统精细1.7倍的电路蚀刻，从而将晶体管密度提升至原来的2.9倍。这不仅有助于降低大规模生产中的工艺复杂度，还能有效提升客户晶圆厂的芯片产能。
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