10月14日，中国台湾阳明交通大学携手台积电、国立中兴大学及美国斯坦福大学等研究机构，在自旋轨道力矩磁阻式磁性存储器（SOT-MRAM）关键材料研发上获得重大突破。这项研究由阳明交通大学助理教授黄彦霖领衔，相关成果已于9月刊载于国际权威期刊《自然·电子学》。
SOT-MRAM被业界普遍视为下一代非易失性存储技术的重要发展方向。黄彦霖团队成功开发出一种新型材料调控方法，使SOT-MRAM的核心组件——β相钨（β-W）在高温制造过程中仍能维持结构稳定性，有效解决了长期制约该技术产业化的一大瓶颈，为实现高速、低功耗且具备量产可行性的存储芯片奠定了坚实基础。
此次研究成果实现了四项业界首次的技术验证：成功集成CMOS控制电路的64Kb SOT-MRAM阵列；达到最快1纳秒的写入切换速度；数据保存寿命超过10年；具备适用于高能效敏感场景的优异低功耗表现。
长期以来，存储技术始终面临性能与持久性的两难抉择：传统易失性存储器如DRAM读写速度快，但断电后数据立即丢失；非易失性存储器如Flash虽可长期保存信息，却受限于写入速度慢与耐用性不足。过去尝试的替代方案，包括相变存储器（PCM）与自旋转移矩存储器（STT-MRAM），均在速度、稳定性或能耗方面存在明显短板。
此次突破有望显著加速SOT-MRAM技术的商业化进程。凭借其高速、节能与非易失性三大优势，该技术未来将在多个关键领域发挥重要作用。在人工智能与大语言模型方面，可大幅提升数据处理效率与能效比；在移动设备应用中，有助于延长电池使用时间并增强数据安全性；对于汽车电子系统与大型数据中心，则可在高温高负载环境下提升运行可靠性并降低整体能耗。
