在全球产能布局方面,台积电美国亚利桑那州工厂的建设进度大幅提前。该厂原计划于2027年投产的2纳米制程芯片(代号N2),现确定将在2026年下半年实现量产,比原定时间提前了近一年时间。此外,台积电还计划在该厂区引入更先进的A16制造工艺,并规划增建第三、第四座晶圆厂以扩充整体产能规模。这一建设速度的提升,主要得益于美国《芯片与科学法案》提供的政策支持,台积电已获得约66亿美元的财政补贴。
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从半导体行业竞争格局来看,台积电在埃米级制程技术上已建立起显著的领先优势。虽然三星和英特尔等竞争对手也在积极推进相关研发,但台积电在晶体管结构设计、背面供电技术以及良品率控制等关键领域都保持着技术领先。市场研究数据显示,台积电2024年开始量产的3纳米制程已拿下全球高端芯片市场超过70%的份额,其在埃米制程上的持续突破,将进一步巩固其在半导体制造领域的领导地位。
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