9月26日行业资讯表明，国内NAND闪存龙头企业长江存储正在布局进军DRAM市场，未来将投入研发包括HBM在内的各类DRAM产品。
HBM作为人工智能芯片制造的关键存储技术，当前市场主要由美韩企业垄断，包括美国美光、韩国SK海力士和三星电子三巨头控制。值得注意的是，国内存储厂商长鑫存储也在积极推进HBM技术研发。
据知情人士透露，长江存储已启动TSV（硅穿孔）技术的研发工作，这是制造堆叠式DRAM的必要工艺。未来其新建产线或将部分转向DRAM生产布局。
受到这一消息影响，美国存储巨头美光科技股价在9月25日大幅下挫3.02%，最终报收156.83美元。
需注意的是，长江存储已于2024年被纳入美国商务部"实体清单"，这可能会对其技术研发和国际市场拓展造成一定影响。
根据Counterpoint Research于24日发布的最新调研数据，2025年第二季度全球HBM市场份额呈现新格局：SK海力士凭借技术优势占据62%市场份额，稳居行业首位；美光以21%的占比首次超越三星电子，跃居第二；三星则以17%的份额退居第三。
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