9月24日，据韩国媒体报道，SK海力士正计划在未来两年内新增采购约20台ASML的EUV光刻设备。目前，该公司已拥有约20台用于研发与生产的EUV机台，此次扩增意味着其EUV设备总量将在短期内实现翻倍。
在SK海力士的两大核心业务中，内存产品线早已引入EUV光刻工艺。自2024年基于1a纳米制程的DRAM实现量产以来，EUV技术的应用范围随制程迭代持续扩大，逐步成为先进内存制造的关键环节。
近年来，人工智能技术的快速发展显著拉动了企业级高性能存储的需求，尤其是高带宽存储器（HBM）的市场需求迅速攀升。为提升先进DRAM产能以满足这一趋势，SK海力士正加速扩充EUV设备部署。
除广泛使用的低数值孔径（Low-NA）EUV光刻机外，该公司已于本月在存储行业率先引入首台具备量产能力的高数值孔径（High-NA）EUV设备——ASML TWINSCAN EXE:5200B，并将其安置于韩国利川M16工厂，标志着其在先进制程布局上迈出关键一步。
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