9月12日行业快讯：凭借HBM内存技术的突破，SK海力士近年来成功逆袭成为全球领先的内存制造商。继日前率先宣布量产HBM4内存后，该公司进一步巩固了技术领先地位。

行业巨头三星显然感受到了竞争压力，但目前想要超越SK海力士的HBM技术优势仍面临挑战。据悉三星在HBM4研发进度上仍落后对手约一个季度，因此将战略目标调整为争取成为HBM4内存的第二大供应商。

根据最新规划，三星将于明年第一季度完成HBM4认证工作，以确保能为NVIDIA下半年推出的Rubin系列GPU提供支持。这款重磅新品预计将搭载高达288GB的HBM4内存规格。

三星方面透露，HBM4产品已具备内部量产能力，目前正在准备送样给重点客户进行测试验证。

在产能布局方面，三星重启了位于韩国平泽的P5工厂建设项目。该项目原本计划去年完工，因半导体行业需求波动而暂停。现基础建设工作即将在本月全面完成。

为赢得NVIDIA等重要客户订单，三星在P5工厂投入了大量资源，特别引入了第二代10nm级DRAM工艺——1c制程。值得注意的是，竞争对手SK海力士量产的HBM4内存仍在使用第五代10nm级1b工艺，可见三星这次确实在技术上押下了重注。